Le processus CVD offre une pureté et une densité théorique extrêmement élevées du revêtement SiC sans porosité. Avec ce processus, Nextgen Advanced Materials fournit un plateau en graphite recouvert de carbure de silicium de haute qualité et avec une livraison rapide. La personnalisation est également disponible.
Un plateau en graphite recouvert de carbure de silicium de haute qualité est proposé par le fabricant Nextgen Advanced Materials INC. Les revêtements CVD en carbure de silicium (SiC) présentent de nombreux avantages, notamment des surfaces d'une ultra-haute pureté et une résistance à l'usure extrêmement élevée. Le procédé CVD peut fournir un revêtement SiC d'une pureté et d'une densité théorique extrêmement élevées sans pores. De plus, comme le carbure de silicium est très dur, il peut être poli pour obtenir une surface semblable à un miroir.
Étant donné que les produits de revêtement ont d'excellentes performances dans les environnements sous vide poussé et à haute température, les plateaux en graphite revêtus de carbure de silicium conviennent parfaitement à l'industrie des semi-conducteurs et à d'autres environnements ultra-propres. Le revêtement CVD en carbure de silicium a déjà été appliqué dans les industries des semi-conducteurs, telles que les plateaux MOCVD, RTP et les chambres de gravure d'oxyde, car le nitrure de silicium présente une grande résistance aux chocs thermiques et peut résister au plasma à haute énergie.
| Propriété | |
| Formule composée | SiC |
| Poids moléculaire | 40.1 |
| Apparence | Noir |
| Point de fusion | 2 730 °C (4 946 °F) (se décompose) |
| Densité | 3,0 à 3,2 g/cm3 |
| Matériel | Graphite, avec revêtement CVD SiC |
| Pureté | >99,99 % pour le revêtement SiC |
| Surface | Zéro porosité |
| Épaisseur du revêtement | 50 ~ 500um |
