En raison de leur résistance et de leur ténacité élevées, les broches de soudage en nitrure de silicium augmentent considérablement les performances par rapport aux broches en céramique solide conventionnelles en oxyde d'alumine, qui se cassent facilement en service. Nextgen Advanced Materials fournit la broche de soudage en nitrure de silicium avec une haute qualité et une livraison rapide. Pendant ce temps, la personnalisation est disponible.
Nextgen Advanced Materials INC est l’un des principaux fabricants professionnels de broches de soudage en nitrure de silicium avec une qualité élevée et un prix raisonnable. Bienvenue à nous contacter. La broche de soudage en nitrure de silicium est constituée d'un matériau céramique à point de fusion élevé, extrêmement dur et relativement inerte chimiquement. En raison de ses performances uniformes à haute température, le Si3N4 est un matériau céramique couramment utilisé dans l'industrie métallurgique. Il présente une excellente résistance aux chocs thermiques grâce à sa microstructure. La résistance au fluage et à l'oxydation du Si3N4 est également supérieure, sa faible conductivité thermique et sa haute résistance à l'usure en font également un matériau exceptionnel capable de résister aux conditions de la plupart des applications industrielles.
| Propriétés mécaniques | |
| Densité | 3,21 g/cm3 |
| Résistance à la compression | 3000 MPa |
| Résistance à la flexion | 800 MPa |
| Module de Weibull m | 15 |
| Résistance à la rupture KIc | 6,5 MPa·m^1/2 |
| Module de Young E | 320 GPa |
| Coefficient de Poisson | 0.28 |
| Dureté Vickers (HV 1) | 16 GPa |
| Propriétés thermiques | |
| Température maximale (gaz inerte) | 1200°C |
| Température maximale (air) | 1100°C |
| Conductivité thermique à 20°C | 28 W/mK |
| Conductivité thermique à 1000°C | 16 W/mK |
| Dilatation thermique (20-100°C) | 2*10-6/K |
| Dilatation thermique (20–1 000°C) | 3.510-6/K |
| Paramètre de choc thermique R1 | 600K |
| Paramètre de choc thermique R2 | 15 W/mm |
| Propriétés électriques | |
| Résistivité à 20°C | 10 ^ 12 Ωcm |
| Résistivité à 800°C | 10 ^ 7 Ωcm |
| Constante diélectrique | 6 MHz |
