Plateau en graphite enduit de SiC
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Plateau en graphite enduit de SiC

Le processus CVD offre une pureté et une densité théorique extrêmement élevées du revêtement SiC sans porosité. Avec ce processus, Nextgen Advanced Materials fournit un plateau en graphite revêtu de SiC de haute qualité et avec une livraison rapide. La personnalisation est également disponible.

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Description du produit

Nextgen Advanced Materials INC est un fabricant leader professionnel de plateaux en graphite enduit de SiC avec une qualité élevée et un prix raisonnable. Bienvenue à nous contacter. Les revêtements CVD en carbure de silicium (SiC) présentent de nombreux avantages, notamment des surfaces d'une pureté ultra élevée et une résistance à l'usure extrêmement élevée. Le procédé CVD peut fournir un revêtement SiC d'une pureté et d'une densité théorique extrêmement élevées sans pores. De plus, comme le carbure de silicium est très dur, il peut être poli pour obtenir une surface semblable à un miroir. 


Étant donné que les produits de revêtement ont d'excellentes performances dans les environnements sous vide poussé et à haute température, les plateaux en graphite revêtus de carbure de silicium conviennent parfaitement à l'industrie des semi-conducteurs et à d'autres environnements ultra-propres. Le revêtement CVD en carbure de silicium a déjà été appliqué dans les industries des semi-conducteurs, telles que les plateaux MOCVD, RTP et les chambres de gravure d'oxyde, car le nitrure de silicium présente une grande résistance aux chocs thermiques et peut résister au plasma à haute énergie.


Spécification 

Propriété
Formule composée SiC
Poids moléculaire 40.1
Apparence Noir
Point de fusion 2 730 °C (4 946 °F) (se décompose)
Densité 3,0 à 3,2 g/cm3
Matériel Graphite, avec revêtement CVD SiC
Pureté >99,99 % pour le revêtement SiC
Surface Zéro porosité
Épaisseur du revêtement 50 ~ 500um



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