Le tube en nitrure de silicium est un composé de liaison covalente à haute résistance, faible densité et résistance aux températures élevées. Nextgen Advanced Materials fournit le tube en nitrure de silicium de haute qualité et avec une livraison rapide. Pendant ce temps, la personnalisation est disponible.
Nextgen Advanced Materials INC est un fabricant et fournisseur qui produit principalement des tubes en nitrure de silicium avec de nombreuses années d'expérience. J'espère établir des relations commerciales avec vous. Le tube en nitrure de silicium est constitué d'un matériau céramique à point de fusion élevé, extrêmement dur et relativement inerte chimiquement. Le Si3N4 est un composé artificiel synthétisé par plusieurs méthodes de réaction chimique différentes. En raison de ses performances uniformes à haute température, le Si3N4 est un matériau céramique couramment utilisé dans l'industrie métallurgique. Il présente une excellente résistance aux chocs thermiques grâce à sa microstructure. La résistance au fluage et à l'oxydation du Si3N4 est également supérieure, sa faible conductivité thermique et sa haute résistance à l'usure en font également un matériau exceptionnel capable de résister aux conditions de la plupart des applications industrielles.
| Couleur | Gris |
| Propriétés mécaniques | |
| Densité | 3,21 g/cm3 |
| Résistance à la compression | 3000 MPa |
| Résistance à la flexion | 800 MPa |
| Module de Weibull m | 15 |
| Résistance à la rupture KIc | 6,5 MPa·m^1/2 |
| Module de Young E | 320 GPa |
| Coefficient de Poisson | 0.28 |
| Dureté Vickers (HV 1) | 16 GPa |
| Propriétés thermiques | |
| Température maximale (gaz inerte) | 1200°C |
| Température maximale (air) | 1100°C |
| Conductivité thermique à 20°C | 28 W/mK |
| Conductivité thermique à 1000°C | 16 W/mK |
| Dilatation thermique (20-100°C) | 2*10-6/K |
| Dilatation thermique (20–1 000°C) | 3.510-6/K |
| Paramètre de choc thermique R1 | 600K |
| Paramètre de choc thermique R2 | 15 W/mm |
| Propriétés électriques | |
| Résistivité à 20°C | 10 ^ 12 Ωcm |
| Résistivité à 800°C | 10 ^ 7 Ωcm |
| Constante diélectrique | 6 MHz |
